全球半导体巨头正加速布局下一代存储芯片制造技术。SK海力士近日宣布，计划在2028年将High NA（高数值孔径）极紫外光刻技术应用于DRAM大规模生产，这项技术可显著提升芯片制造的精度与效率。目前该公司正在评估是否加入由ASML牵头组建的产业联盟，该联盟旨在推动12英寸光罩等关键设备的标准化进程。 ASML于本月8日正式启动High NA ...

IT时代网9月11日消息，据路透社此前报道，SK海力士在一份声明中表示，目标是在2028年将High NA（高数值孔径）EUV光刻图案化工艺用于DRAM的大规模生产。ASML于当地时间本月8日宣布与台积电、三星电子、英特尔合作，推动High NA ...

IT之家 9 月 11 日消息，参考路透社此前报道，SK 海力士在一份声明中表示，该企业目标在 2028 年将 High NA（高数值孔径）EUV 光刻图案化工艺应用于 DRAM 的大规模生产。ASML 在当地时间本月 8 ...

MoneyDJ新聞 2026-09-11 15:47:55 數位內容中心 發佈Intel（INTC.US） 9月8日，Intel Foundry宣布高數值孔徑極紫外光刻（High NA EUV）已導入高量產製造，涵蓋Intel 18A與Panther ...

台積電（2330）先進製程持續衝鋒，並將導入下世代艾司摩爾（ASML）高數值孔徑極紫外光（High NA EUV）設備藍圖明確，業界預期，協力夥伴家登、家碩及迅得等可望同步沾光。 台積電已宣布計畫2030年起先進製程量產中導入，並於2031年前建立12吋光罩試產線，為2033年12吋導入艾司摩爾High NA微影系統先進製程量產奠定基礎。 家登集團旗下家碩指出，High NA EUV技術持續推進， ...

Applied Materials CEO Gary Dickerson showed up to a Goldman conference with customer order books stretching years into the ...

Global wafer-fabrication-equipment spending is projected to rise 16.9% to $135.2 billion in 2026. DRAM and NAND equipment ...